IXKP 24N60C5M
Source-Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25°C, unless otherwise speci?ed)
min.
typ.
max.
I S
V GS = 0 V
12
A
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = 12 A; V GS = 0 V
I F = 12 A; -di F /dt = 100 A/μs; V R = 400 V
0.9
390
7.5
38
1.2
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
M d
operating
mounting torque
-55...+150
-55...+150
0.4 ... 0.6
°C
°C
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R thCH
R thJA
Weight
with heatsink compound
thermal resistane juntion - ambient
0.50
80
2
K/W
K/W
g
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209d
2-4
相关PDF资料
IXKR25N80C MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
IXKR40N60C MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
IXKR47N60C5 MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
IXTA10N60P MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
IXTA110N055T2 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
IXTA110N055T7 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7
IXTA110N055T MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
IXTA120N04T2 MOSFET N-CH 40V 120A TO-263
相关代理商/技术参数
IXKP35N60C5 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKR25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKR40N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
IXKR40N60C 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKR47N60C5 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKT70N60C5 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKT70N60C5-TRL 制造商:IXYS Corporation 功能描述:70 Amps 600V
IXKU5-505MINIPACK2 功能描述:MOSFET MiniPack 2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube